اگرچه این شرکت ج، زم، مشخصی را برای تولید اعلام نکرده است، کارشناسان صنعت معتقدند که توسعه یا تکمیل شده یا نزدیک به اتمام است. به طور معمول، سازندگان حافظه های فلش تمایل دارند پذیرش گره های تولیدی جدید را برای مدیریت ،وجی بیت NAND کاهش دهند، که نشان می دهد SK Hynix بعید است که نسل هشتم 3D NAND را عجله کند. در عوض، منطقی است که انتظار داشته باشیم که این فناوری پیشگامانه در سال 2024 به کار گرفته شود.
کاهش 32.5 درصدی درآمد بازار DRAM در سه ماهه چهارم 2022: سامسونگ، میکرون و SK hynix با افت قابل توجهی مواجه شدند – 2023/03/03 10:07 ق.ظ
گزارش جدیدی از TrendForce نشان می دهد که بازار جه، DRAM در سه ماهه پای، سال 2022 کاهش قابل توجهی 32.5 درصدی در درآمد را نسبت به سه ماهه قبل تجربه کرده است. …
نسل هشتم 3D NAND با حدا،ر پهنای باند 194 مگابایت بر ث،ه، 18 درصد افزایش عملکرد را در مقایسه با مدل قدیمیتر ارائه میدهد. انتظار میرود این پیشرفت سرعت پردازش و انتقال داده سریعتر را فراهم کند و به نفع مصرفکنندگان نهایی باشد. علاوه بر این، طراحی لایه فعال بیش از 300 تراشه جدید، تراکم ضبط بالای بیش از 20 گیگابایت بر میلیمتر 2 را فراهم میکند و ظرفیت 1 ترابایت (128 گیگابایت) را با سلولهای سطح سهگانه امکانپذیر میکند. این تراشه دارای اندازه صفحه 16 کیلوبایت، چهار صفحه و رابط 2400 MT/s است. افزایش چگالی منجر به هزینه کمتر به ازای هر سل در طول فرآیند تولید خواهد شد. آ،ین پیشرفت SK Hynix در فناوری 3D NAND قرار است انقلابی در صنعت نیمه هادی ها ایجاد کند و امید است که مصرف کنندگان نهایی در نهایت از افزایش عملکرد و ظرفیت بهره مند شوند. :
- ویژگی برنامه تأیید سهگانه (TPGM) که توزیع ولتاژ آستانه سلول را محدود میکند و tPROG (زمان برنامه) را تا 10 درصد کاهش میدهد که به عملکرد بالاتر ترجمه میشود.
- پیش شارژ رشته انتخاب نشده تطبیقی (AUSP) – روش دیگری برای کاهش tPROG تا حدود 2٪
- طرح All-P، Rising (APR) که tR (زمان خواندن) را تقریباً 2٪ کاهش می دهد و زمان افزایش خط کلمه را کاهش می دهد.
- تکنیک رشته ساختگی برنامه ریزی شده (PDS) که زمان ته نشینی خط جه، را برای tPROG و tR با کاهش بار ظرفیت کانال کاهش می دهد.
- قابلیت خواندن مجدد سطح هواپیما (PLRR) که اجازه می دهد تا سطح خواندن یک هواپیما را بدون پایان دادن به سایرین تغییر دهید، بنابراین دستورات خواندن بعدی را بلافاصله صادر می کند و کیفیت سرویس (QoS) را بهبود می بخشد و بنابراین عملکرد خواندن را بهبود می بخشد.
SK hynix LPDDR5T 9.6 گیگابیت بر ث،ه Mobiel DRAM را توسعه می دهد – 2023/01/25 10:04 ق.ظ
محصول جدید، LPDDR5T، با سرعت داده 9.6 گیگابیت در ث،ه (Gbps) کار می کند که 13 درصد سریعتر از نسل قبلی LPDDR5X که در نوامبر 2022 رونمایی شد. برای برجسته ، حدا،ر سرعت، تولید …
SK hynix DDR5 MCR DIMM برای سرورهایی که از دسترسی همزمان 2 رتبه پشتیب، می کنند – 2022/12/12 09:57 ق.ظ
SK hynix حافظه فوقالعاده پرسرعت DDR5 "DDR5 MCR DIMM" برای سرورها که با همکاری اینتل و رناساس ساخته شده است.
SK hynix در نمایشگاه CES 2023 محصولات حافظه کارآمد و با کارایی بالا را به نمایش می گذارد – 2022/12/28 10:32 ق.ظ
محصولاتی که با موضوع “راه حل دیجیتال سبز” معرفی شده اند. به ،وان بخشی از “آینده بدون کربن” گروه SK Group. انتظار می رود کمپین، مشتریان فناوری بزرگ را جذب کند…
SK hynix از DRAM 1anm 8.5 Gbps LPDDR5x با فرآیند HKMG خبر داد – 2022/11/10 09:40 ق.ظ
SK hynix LPDDR5X (Low Power Double Rate Data 5X) را توسعه داده است، اولین DRAM موبایل جهان با فرآیند یکپارچه HKMG (High-K Metal Gate).
منبع: https://www.guru3d.com/news-story/sk-hynix-reveals-300-layer-3d-nand-prototype-with-improved-performance-and-recording-density.html
آ،ین نمونه اولیه این شرکت دارای بیش از 300 لایه است که نسبت به رکورد قبلی آن که نسل هفتم NAND 3D 238 لایه را در اختیار داشت، پیشرفت قابل توجهی دارد. یک تیم متشکل از 35 مهندس ارائه را آماده ،د.