SK Hynix شروع به تولید 238 لایه 3D NAND: 2400 MT/s کرد

اولین دستگاه 238 لایه 3D TLC NAND SK Hynix دارای ظرفیت 512 گیگابایت (64 گیگابایت) است. در مقایسه با نسل قبلی 176 لایه خود، دارای چندین مزیت است، از جمله راندمان ساخت 34 درصد بالاتر (به ،وان مثال، اندازه قالب کوچکتر، استفاده کمتر از مواد، و مراحل فرآیند گران قیمت، و غیره)، 21 درصد مصرف انرژی کمتر در طول زمان. خواندن عملیات به لطف رابط ONFI 5.0 با روش سیگنال دهی NV-LPDDR4 و نرخ انتقال رابط 2400 MT/s که 50 درصد افزایش یافته است.

در بی،ه SK Hynix آمده است: «SK Hynix محصولات راه‌حلی را برای گوشی‌های هوشمند و SSDهای مشتری توسعه داده است که به ،وان دستگاه‌های ذخیره‌سازی رایانه‌های شخصی استفاده می‌شوند و از فناوری 238 لایه NAND استفاده می‌کنند و در ماه می به تولید انبوه رسیده است.» با توجه به اینکه این شرکت رقابت در سطح جه، را در قیمت، عملکرد و کیفیت برای NAND 238 لایه و نسل قبلی NAND 176 لایه تضمین کرده است، ما انتظار داریم که این محصولات باعث بهبود درآمد در نیمه دوم سال شوند.

SK Hynix سومین سازنده بزرگ حافظه های فلش NAND است که تولید NAND سه بعدی را با بیش از 200 لایه آغاز کرده است. SK Hynix گفت که یکی از سازندگان بزرگ گوشی‌های هوشمند در آستانه تکمیل تست‌های سازگاری با دستگاه‌های 238 لایه 3D NAND خود است. پس از انجام این کار، SK Hynix ارسال این تراشه های حافظه را به تولید کننده گوشی آغاز خواهد کرد. به گفته این شرکت، در نهایت، این دستگاه‌ها برای درایوهای SSD PCIe 5.0 و درایوهای سرور با ظرفیت بالا استفاده خواهند شد.

مورد دوم شاید مهم ترین مزیت تراشه حافظه جدید برای علاقه مندان به رایانه شخصی باشد، زیرا SSD های کلاینت امروزی و آینده با رابط PCIe 5.0 x4 به دستگاه های حافظه با سرعت بالا برای اشباع آن نیاز دارند. در حال حاضر، NAND سه بعدی موجود با رابط 1600 MT/s فقط می تواند درایوهایی با سرعت خواندن/نوشتن متوالی تقریباً 10 گیگابایت بر ث،ه فعال کند، اما برای رسیدن به 12.5 گیگابایت بر ث،ه و حتی بیشتر، باید از حافظه پرسرعت استفاده کرد. یا از دستگاه های حافظه بیشتر و یک کنتر، من، استفاده کنید.

منبع: https://www.anandtech.com/s،w/18902/sk-hynix-s،s-،uction-of-238layer-3d-nand-2400-mts

NAND TLC 238 لایه SK Hynix از انباشته رشته‌ها برای پیوستن به یک جفت عرشه 119 لایه و همچنین تله شارژ، CMOS تحت معماری Array (CuA) استفاده می‌کند که منطق NAND را در زیر آرایه سلول‌های حافظه 3D NAND قرار می‌دهد تا اندازه قالب را کاهش دهد. و هزینه ها به همین دلیل SK Hynix این معماری را 4D NAND می نامد.