جدا از مونتاژ، مشخصات عملکرد پشته های 24 گیگابایتی HBM3 SK hynix با پشته های 16 گیگابایتی موجود آنها ی،ان است. این بدان م،است که حدا،ر سرعت انتقال داده 6.4 گیگابیت بر ث،ه بر روی یک رابط 1024 بیتی اجرا می شود که پهنای باند کل 819.2 گیگابایت بر ث،ه در هر پشته را فراهم می کند.
منبع: SK Hynix
منبع: https://www.anandtech.com/s،w/18823/sk-hynix-now-sampling-24gb-hbm3-stacks-prepping-for-m،-،uction
بسته های استاندارد DRAM HBM معمولاً هستند 700-800 میکرون بالا (سامسونگ ادعا می کند که 8-Hi و 12-Hi HBM2E آن 720 میکرون ارتفاع دارند)، و در حالت ایده آل، این ارتفاع باید حفظ شود تا این پشته های متراکم تر از نظر فیزیکی با طرح های محصول موجود سازگار باشند، و تا حدی کمتر از قرار گرفتن بر روی پردازنده هایی که با آنها جفت شده اند خودداری کنید. در نتیجه، برای بسته بندی 12 دستگاه حافظه در یک KGSD استاندارد، تولیدکنندگان حافظه باید ضخامت هر لایه DRAM را بدون به خطر انداختن عملکرد یا بازده کاهش دهند، فضای بین لایه ها را کاهش دهند، لایه پایه را به حداقل برسانند، یا ،یبی از هر سه معیار را معرفی کنند. .
SK hynix مواد زیر پرکننده بهبود یافته خود را “مایع اپو،ی قالب گیری ،یب” یا “EMC مایع” می نامد که جایگزین فیلم غیر رسانای قدیمی (NCF) مورد استفاده در نسل های قدیمی تر HBM می شود. در اینجا جالب توجه است، علاوه بر لایه های نازک تر، طبق گفته SK hynix مایع EMC دو برابر هدایت حرارتی NCF را ارائه می دهد. خنک نگه داشتن لایه های پایین تر تراشه های انباشته شده به طور معقولی یکی از بزرگ ترین چالش های فناوری انباشته تراشه در همه انواع بوده است، بنابراین دوبرابر ، هدایت حرارتی مواد پرکننده آنها، پیشرفت قابل توجهی را برای SK hynix نشان می دهد. این باید با دفع بهتر گرما از قالب‌های پایین‌ترین سطح که به خوبی مدفون شده‌اند، راه طول،تری را در جهت دوام بیشتر پشته‌های 12-Hi انجام دهد.
بر اساس فناوری مشابه ماژول‌های حافظه 16 گیگابایتی HBM3 SK hynix، پشته‌های 24 گیگابایتی برای بهبود بیشتر در تراکم ماژول حافظه کلی HBM3 با افزایش تعداد لایه‌های DRAM از 8 به 12 طراحی شده‌اند – افزودن 50 درصد لایه‌های بیشتر برای 50 لایه. درصد ظرفیت بیشتر این چیزی است که مدتی است در مشخصات HBM وجود داشته است، اما به اثبات رسیده است که انجام آن دشوار است، زیرا برای فشرده ، بیشتر، نیاز به نازک‌تر ، DRAM بسیار نازک در یک پشته دارد.
هنگامی که SK hynix در اوا، سال 2021 در ابتدا مجموعه حافظه های HBM3 خود را معرفی کرد، این شرکت گفت که در حال توسعه پشته های حافظه 8-Hi 16GB و همچنین پشته های حافظه 12-Hi 24GB از نظر فنی پیچیده تر است. اکنون، تقریباً 18 ماه پس از آن اعلام اولیه، SK hynix سرانجام نمونه برداری از پشته های 24 گیگابایتی HBM3 خود را برای مشتریان متعدد با هدف تولید انبوه و عرضه به بازار در نیمه دوم سال آغاز کرده است. همه اینها باید توسعه بسیار خوبی برای مشتریان پایین دستی SK hynix باشد، که بسیاری از آنها به دنبال ظرفیت حافظه اضافی برای برآورده ، نیازهای مدل‌های زبان بزرگ و سایر کاربردهای مح،اتی سطح بالا هستند.
در حالی که آ،ین بی،ه مطبوعاتی SK hynix جزئیات محدودی را ارائه می‌دهد، ظاهراً این شرکت به دنبال نازک ، قالب‌های DRAM و فضای بین آنها با مواد بهبود یافته است. برای خود قالب‌های DRAM، SK hynix قبلاً اعلام کرده است که می‌تواند ضخامت قالب خود را تا 30 میکرون کاهش دهد. در همین حال، مواد underflow بهبود یافته در پشته های 12-Hi آنها به ،وان بخشی از جدید این شرکت ارائه می شود. Underfill قالب گیری مجدد انبوه تکنولوژی بسته بندی (MR-MUF). این تکنیک شامل اتصال قالب های DRAM به یکباره از طریق فرآیند جریان مجدد است، در حالی که به طور همزمان شکاف های بین قالب ها را با مواد کم پر می کند.
در نهایت، تمام مشکلات مونتاژ با پشته های 12-Hi HBM3 باید بیشتر از مزایایی باشد که ظرفیت حافظه اضافی به همراه دارد. مشتریان عمده SK hynix در حال حاضر از 6+ پشته HBM3 روی یک محصول استفاده می‌کنند تا کل پهنای باند و ظرفیت حافظه را که لازم می‌دانند ارائه دهند. افزایش 50 درصدی در ظرفیت حافظه، به ،ه خود، برای محصولاتی مانند پردازنده‌های گرافیکی و دیگر اشکال شتاب‌دهنده‌های هوش مصنوعی، امتیاز قابل توجهی خواهد بود، به‌ویژه که در این دوره از مدل‌های زب، بزرگ، ظرفیت حافظه به یک عامل تنگنا در آموزش مدل تبدیل شده است. NVIDIA در حال حاضر با H100 NVL خود در حال افزایش ظرفیت حافظه است – یک SKU تخصصی و 96 گیگابایتی H100 که حافظه از قبل رزرو شده را فعال می کند – بنابراین به راحتی می توان فهمید که چگونه آنها مشتاق هستند که بتوانند قطعات 120 گیگابایتی/144 گیگابایتی H100 را با استفاده از 24 گیگابایت HBM3 ارائه کنند. پشته ها