Micron حافظه GDDR6X را معرفی کرد که سریعترین کارتهای گرافیک جهان را تامین میکند – 2020/09/02 08:28 ق.ظ
Micron سریعترین راهحل حافظه گرافیکی گسسته جهان، GDDR6X را معرفی کرد که برای اولین بار پهنای باند سیستم را تا 1 ترابایت در ث،ه (TB/s) تامین میکند. کار با فناوری مح،ات بصری …
Micron از حافظه موبایل UFS 4.0 ساخته شده بر روی 232 لایه 3D NAND خبر داد
منبع: https://www.guru3d.com/news-story/micron-announces-ufs-4-mobile-storage-built-on-232-layer-3d-nand.html
این محصول اولین راه حل تلفن همراه Micron است که بر اساس NAND سلول سه سطحی 232 لایه (TLC) نوآورانه این شرکت ساخته شده است که 100٪ پهنای باند نوشتن بالاتر و 75٪ پهنای باند خواندن بالاتر را ارائه می دهد. معماری NAND سه بعدی 232 لایه Micron با قرار دادن آرایه سلول بیت NAND در لایههای بیشتر، بیتهای بیشتری را در هر میلیمتر مربع سیلی، فراهم میکند و امکان چگالی بیشتر، بهبود عملکرد و رشد ظرفیت را فراهم میکند. این جدیدترین راه حل تلفن همراه همچنین اولین فضای ذخیره سازی UFS 4.0 در جهان را نشان می دهد که از معماری NAND شش صفحه ای استفاده می کند، که امکان خواندن تصادفی قابل توجهی را فراهم می کند – که منجر به پاسخگویی بیشتر، زمان بارگذاری سریعتر برنامه و تجربه کلی بهتر کاربر می شود.راه حل UFS 4.0:
- سرعت خواندن متوالی تا 4300 مگابایت در ث،ه (MBps) و سرعت نوشتن متوالی 4000 مگابایت بر ث،ه را ارائه می دهد که دو برابر عملکرد نسل های قبلی است تا کاربران بتوانند برنامه های رسانه های اجتماعی مورد علاقه خود را سریعتر راه اندازی کنند.
- 25 درصد کم مصرفتر است، بنابراین کاربران میتوانند بدون دردسر شارژ مکرر از برنامههای پرمصرف داده برای مدت طول،تری لذت ببرند.
- 10% بهبود تاخیر نوشتن را نسبت به رقبا ارائه می دهد که در نتیجه عملکرد برنامه فوق العاده پاسخگو است
- به کاربران این امکان را می دهد تا به سرعت دو ساعت محتوای جریان 4K را در کمتر از 15 ث،ه دانلود کنند، ی،ی دو برابر سریعتر از نسل قبلی
Micron Technology، Inc. امروز اعلام کرد که اکنون نمونههای صلاحیتی از راهحل موبایل Universal Flash Storage (UFS) 4.0 خود را ارائه میکند که بر اساس 232 لایه پیشرفته NAND 3D ساخته شده است.
مارک مونتیرث، معاون شرکت و مدیر کل شرکت، گفت: “آ،ین راه حل موبایل میکرون، بهترین فناوری UFS 4.0، کنترل کننده اختصاصی کم مصرف، NAND 232 لایه و معماری سیستم عامل بسیار قابل تنظیم را برای ارائه عملکردی بی نظیر به هم متصل می کند.” واحد تجاری موبایل میکرون این فناوریها با هم، Micron را در خط مقدم ارائه عملکرد و نوآوریهای کم مصرفی که مشتریان ما به آنها نیاز دارند قرار میدهند تا یک تجربه کاربر نهایی استثنایی را برای گوشیهای هوشمند پرچمدار فراهم کنند.»
Micron فلش 232 لایه 3 بعدی NAND را اعلام کرد – آماده در سال 2023 – 2022/05/13 09:17 ق.ظ
لایههای بیشتر به م،ای فضای ذخیرهسازی بیشتر در هر تراشه است و این به م،ای حجم بیشتر برای SSD شما است. Micron روز پنجشنبه از اولین تراشه حافظه 232 لایه 3D NAND صنعت رونمایی کرد. …
Micron از ایجاد یک مرکز طراحی حافظه جدید در آتلانتا خبر داد – 2021/12/07 09:54 ق.ظ
Micron امروز برنامههای خود را برای مرکز طراحی حافظه جدید خود در Midtown Atlanta اعلام کرد و دامنه این شرکت را به ج، شرقی گسترش داد. …
راهحل ذخیرهسازی UFS 4.0 که در ظرفیتهای بالا تا 1 ترابایت (TB) ارائه میشود، برای تولیدکنندگان منتخب جه، گوشیهای هوشمند و فروشندگان چیپست ارسال میشود. جدیدترین حافظه فلش موبایل Micron از رقبا در چندین معیار مهم NAND پیشی گرفته است و سریع ترین عملکرد صنعت را برای گوشی های هوشمند پرچمدار با راه اندازی سریع، راه اندازی برنامه ها و دانلود ویدیو ارائه می دهد.
این راه حل ذخیره سازی تلفن همراه با استفاده از NAND 3D پیشرفته 232 لایه Micron و کنتر، و سیستم عامل داخلی آن طراحی شده است. این ادغام عمودی فشرده به Micron اجازه میدهد تا هم افزایی بین سختافزار و سیستمافزار را برای ارائه رهبری صنعت در کیفیت، عملکرد و قدرت بهینهسازی کند.
Micron اکنون نمونههایی از راهحل ذخیرهسازی UFS 4.0 خود را به تولیدکنندگان کلیدی موبایل و فروشندگان چیپست در سراسر جهان در ظرفیتهای 256 گیگابایت، 512 گیگابایت و 1 ترابایت ارسال میکند. این شرکت تولید حجم بالایی از راه حل ذخیره سازی UFS 4.0 خود را در نیمه دوم سال 2023 آغاز می کند – ا،یستم تلفن همراه را به حافظه فلش موبایل با کارایی بالا مجهز می کند که برای نوآوری موج بعدی 5G و تجارب گوشی های هوشمند پرچمدار مجهز به هوش مصنوعی لازم است.
Micron از SSD های Crucial P3 Plus و Crucial P3 NVMe آینده رونمایی کرد – 2022/05/25 11:45 ق.ظ
Micron از عرضه قریبالوقوع دو راهحل جدید ذخیرهسازی مصرفکننده، Crucial P3 Plus Gen4 NVMe و Crucial P3 NVMe SSD، به ،وان بخشی از مجموعه برنده جایزه Crucial NVMe SSD خود خبر داده است.
Micron از فناوری DRAM 176 لایه ای NAND و 1α (1-alpha) خبر داد – 2021/06/02 01:33 ب.ظ
Micron Technology، Inc. (Nasdaq: MU) امروز از نوآوری های حافظه و ذخیره سازی در سراسر مجموعه خود بر اساس فناوری پیشرو در صنعت 176 لایه NAND و 1α (1-alpha) DRAM و همچنین …