1 ترابایت، 6 هواپیما با 50 درصد پهنای باند ورودی/خروجی بیشتر

در مورد تولید، Micron 232L NAND را به ،وان جایگزینی کامل برای 176L NAND عرضه می کند – به این م،ی که Micron آن را برای همه چیز از تلفن همراه و اینترنت اشیا گرفته تا مشتریان و محصولات مرکز داده من، می داند. برای این منظور، این شرکت در حال حاضر محموله های اولیه را برای مشتریان خود، از جمله شرکت تابعه Crucial خود، انجام می دهد. همانند نسل‌های گذشته Micron NAND، شروع زودهنگام با Crucial به شرکت اجازه می‌دهد تا قبل از اینکه آن را در تج،ات سازم، خود قرار دهد، تجربه عملی در توسعه محصولات با ویژگی‌های کامل با NAND جدید خود ،ب کند. با این حال، جالب توجه است که Micron در حال حاضر هیچ محصول جدید Crucial را معرفی نمی کند، که به شدت نشان می دهد که Crucial قرار است پیاده سازی NAND جدید را در محصولات موجود آغاز کند. اگر اینطور باشد، مشتریان Crucial می‌خواهند به آنچه در حال انجام است و بازبینی درایویی که می‌،ند توجه کنند، زیرا دای بزرگ‌تر 1 ترابایتی می‌تواند پیامدهای عملکردی برای محصولاتی که در ابتدا حدود 512 گیگابیت طراحی شده بودند داشته باشد.

عرشه‌های NAND میکرون با معماری CMOS تحت آرایه (CuA)، تله شارژ خود ادامه می‌دهند، که بخش عمده منطق NAND را در زیر سلول‌های حافظه NAND قرار می‌دهد. Micron مدت‌هاست که این موضوع را به ،وان مزیت مداوم در چگالی NAND به آنها می‌دهد و این یک بار دیگر برای NAND 232L آنها به نمایش گذاشته شده است. طبق گفته این شرکت، آنها به چگالی 14.6 گیگابیت بر میلی متر دست یافته اند2، که حدود 43٪ چگالی تر از 176L NAND آنها است. و به گفته Micron، بین 35 تا 100 درصد چگالی تر از محصولات TLC رقیب است.















Micron 3D TLC NAND Flash Memory
232 لیتر
(B58R)
176 لیتر
(B47R)
لایه های 232 176
عرشه ها 2 (x116) 2 (x88)
ظرفیت قالب 1 ترابایت 512 گیگ
اندازه قالب (میلی متر2) 70.1 میلی متر مربع ~49.8mm2
چگالی (Gbit/mm2) 14.6 10.3
سرعت I/O 2.4 MT/s
(ONFi 5.0)
1.6 MT/s
(INF 4.2)
توان عملیاتی برنامه ? ?
هواپیماها 6 4
CuA / PuC آره آره

از منظر فنی، 232L NAND میکرون بیشتر بر پایه ،اصر طراحی اولیه که Micron در آن نسل به کار گرفته است، می‌پردازد. بنابراین ما یک بار دیگر به دنبال طراحی رشته‌ای هستیم که Micron از یک جفت عرشه 116 لایه‌ای استفاده می‌کند، در مقایسه با 88 لایه در نسل قبلی. به ،ه خود، عرشه های 116 لایه قابل توجه هستند زیرا این اولین باری است که Micron توانسته است یک عرشه بیش از 100 لایه تولید کند، موفقیتی که قبلاً به سامسونگ محدود می شد. این به ،ه خود به Micron اجازه می‌دهد تا NAND پیشرفته را تنها با دو دک تولید کند، چیزی که ممکن است برای مدت طول،‌تری امکان‌پذیر نباشد زیرا شرکت‌ها به سمت طرح‌هایی با بیش از 300 لایه کلی تلاش می‌کنند.

تراکم بهبود یافته به Micron اجازه می دهد تا در نهایت اولین قالب TLC 1 ترابایتی خود را تولید کند، که از نقطه نظر تولید به این م،ی است که Micron اکنون می تواند بسته های تراشه های 2 ترابایتی را با چیدن 16 قالب از 232 لیتری خود تولید کند. این خبر خوبی برای ظرفیت های SSD است، که در رده بالا اغلب با تعداد بسته هایی که می توان قرار داد محدود می شود. اگرچه این بدان م،است که به دلیل کاهش موازی سازی از اجرای بسته های کمتر، بالقوه از دست دادن عملکرد در ظرفیت های پایین تر وجود دارد.

پیش از برگزاری اج، حافظه فلش در هفته آینده، Micron امروز صبح اعلام کرد که نسل بعدی NAND لایه 232 ارسال شده است. نسل ششم فناوری 3D NAND Micron، 232L، هم پهنای باند بهبود یافته و هم اندازه‌های قالب بزرگ‌تر را ارائه می‌کند – به ویژه، معرفی اولین قالب‌های 1 ترابایتی TLC NAND میکرون، که در این مرحله متراکم‌ترین قالب‌ها در صنعت هستند. به گفته این شرکت، NAND جدید در حال حاضر به مشتریان و در محصولات Crucial SSD در حجم محدود ارسال می‌شود و افزایش حجم بیشتری در اوا، سال اتفاق می‌افتد.

در همان زمان، Micron روی اندازه بسته‌بندی تراشه‌های خود نیز کار کرده است، و در نتیجه در حالی که ظرفیت بزرگ‌تر به این م،ی است که اندازه قالب آن‌ها بر اساس نسلی افزایش یافته است (ما حدود 70.1 میلی‌متر برآورد می‌کنیم.2 با توجه به ارقام چگالی Micron)، آنها هنوز بسته بندی تراشه خود را 28٪ کاهش داده اند. در نتیجه، بسته بندی تک تراشه از 12 میلی متر در 18 میلی متر (216 میلی متر) کاهش می یابد2) تا 11.5mm x 13.5mm (~155mm2). بنابراین برای مشتریان پایین دستی Micron، ،یب ظرفیت بیشتر و بسته‌های فیزیکی کوچک‌تر برای NAND Micron به این م،ی است که سازندگان دستگاه می‌توانند مقدار فضایی را که به بسته‌های NAND اختصاص می‌دهند کاهش دهند یا به سمت دیگری رفته و سعی کنند بسته‌های بیشتری را پر کنند. به فضایی مشابه

میکرون اولین بار در ماه مه، در جریان رویداد روز سرمایه‌گذار خود، NAND 232L خود را معرفی کرد و فاش کرد که NAND امسال در دسترس خواهد بود و این شرکت قصد دارد تا پایان سال تولید خود را افزایش دهد. و در حالی که این رمپ بازده هنوز ادامه دارد، کارخانه Micron در سنگاپور در حال حاضر قادر است به اندازه کافی از NAND جدید تولید کند که Micron در اعلام ارسال آن راحت باشد، البته به وضوح در مقادیر محدود.

در پایان همه چیز، اعلام امروز باید نوک کوه یخ برای محموله های 232 لیتری Micron باشد. با توجه به اینکه انتظار می رود افزایش حجم تا پایان سال جاری میلادی ادامه داشته باشد، برنامه های Micron از این شرکت خواسته می شود تا مقدار NAND نسل بعدی خود را به میزان قابل توجهی افزایش دهد و بسیار فراتر از این حجم اولیه باشد. در نهایت، این بدان م،ی است که محصولات مجهز به 232L NAND برای امسال نسبتاً کمیاب خواهند بود و در سال 2023 پس از افزایش حجم تولید خواهند شد. بنابراین، در حالی که 232L NAND میکرون واقعاً در حال حمل و نقل است، از دیدگاه مصرف کننده، احتمالاً هنوز چندین ماه (یا بیشتر) از تبدیل شدن آن به یک وسیله معمولی در SSD و سایر محصولات فاصله داریم.


منبع: https://www.anandtech.com/s،w/17509/microns-232-layer-nand-now-،pping

همراه با این، Micron همچنین آ،ین نسل ONFi را بر روی منطق محیطی خود پیاده سازی کرده است. ONFi که در سال 2021 نهایی شد و اکنون در اولین محصولات NAND عرضه می شود، نرخ انتقال کنتر،-NAND را تا 50 درصد افزایش می دهد و آن را به 2400MT/ث،ه می رساند. ONFi 5.0 همچنین یک روش سیگنال دهی جدید NV-LPDDR4 را معرفی کرد که با همان نرخ 2400MT/s در دسترس است، اما از آنجایی که مبتنی بر فناوری LPDDR است، انرژی کمتری مصرف می کند. به گفته Micron، آنها شاهد صرفه جویی در انتقال انرژی در هر بیت بیش از 30 درصد هستند که باعث کاهش قابل توجه مصرف انرژی می شود. اگرچه مثل همیشه با این نوع مقایسه ها، شایان ذکر است که افزایش پهنای باند از صرفه جویی در انرژی بیشتر است (50% در مقابل 30%)، بنابراین انتظار ما این است که مصرف کلی انرژی برای محصولات با کارایی بالا افزایش یابد. سریع ترین سرعت های پشتیب، شده توسط میکرون 232L NAND.

این افزایش در موازی سازی، همراه با بهبود نرخ انتقال داخلی، به Micron اجازه داده است تا سرعت خواندن و نوشتن در هر قالب را به میزان قابل توجهی بهبود بخشد. به گفته این شرکت، سرعت خواندن بیش از 75 درصد نسبت به نسل 176L NAND خود بهبود یافته است و در عین حال سرعت نوشتن به طور کامل دو برابر شده است.

علاوه بر بهبود تراکم، آ،ین نسل NAND میکرون همچنین به شرکت اجازه می‌دهد تا سخت‌افزار خود را برای استفاده از فناوری‌های جدیدتر ورودی/،وجی ارتقا دهد و همچنین پیشرفت‌های خود را برای افزایش سرعت انتقال پیاده‌سازی کند. خبر مهم در اینجا این است که Micron تعداد هواپیماهای درون قالب NAND خود را از 4 به 6 افزایش داده است و موازی بودن موجود در هر قالب را بیشتر بهبود می بخشد. طراحی‌های چهار صفحه‌ای (چهار) در نسل قبلی NAND رایج شد و با افزایش چگالی NAND، تعداد صفحات نیز افزایش می‌یابد تا نرخ انتقال با این چگالی‌های بیشتر مطابقت داشته باشد. Micron تأیید کرده است که هواپیماهای موجود در 232L NAND خواندن مستقل ارائه می‌کنند، هرچند که آنها کاملاً در مورد اینکه چه نوع وابستگی به خط کلمه برای نوشتن باقی می‌ماند، کاملاً واضح نیستند.