گره 1.4 نانومتری، 3 برابر ظرفیت بیشتر


سامسونگ هفته گذشته در رویداد Foundry Fo، نقشه راه ،ب و کار ریخته گری خود را برای پنج سال آینده ترسیم کرد. این شرکت قصد دارد فناوری‌های ساخت نسل بعدی خود را به موقع معرفی کند و در نظر دارد تا سال 2027 تراشه‌هایی را بر روی فرآیند تولید 1.4 نانومتری (14 آنگستروم) خود بسازد. همچنین، این شرکت به سرمایه‌گذاری در ظرفیت‌های تولید جدید ادامه می‌دهد و در تلاش برای تقویت است. موقعیت آن در بازار ریخته گری

گره های جدید ورودی

سامسونگ چندین سال است که گره های تولیدی و/یا انواع جدیدی را در نودهای تولیدی هر 12 تا 18 ماه معرفی می کند و قصد دارد روند نسبتاً تهاجمی خود را در آینده حفظ کند. اگرچه نقشه راه شرکت نشان می‌دهد، جدای از هیاهو، که اکنون توسعه فرآیندهای ساخت جدید بیشتر طول می‌کشد. نسل دوم فناوری gate-all-around ک، 3 نانومتری این شرکت (3GAP) اکنون قرار است در سال 2024 وارد بازار شود. در همین حال، Samsung Foundry قصد دارد با گره 2 نانومتری (20 آنگستروم) خود در سال 2025 و با فرآیند ساخت 1.4 نانومتر در سال 2027.

“با موفقیت شرکت در ارائه جدیدترین [3 nm-cl،] سامسونگ در بی،ه‌ای اعلام کرده است که فناوری فرآیند تا تولید انبوه، فناوری مبتنی بر دروازه همه‌جانبه (GAA) را بیشتر تقویت خواهد کرد و قصد دارد فرآیند 2 نانومتری را در سال 2025 و فرآیند 1.4 نانومتری را در سال 2027 معرفی کند.















نقشه راه چیپ فاب

داده‌های اعلام شده در طول کنفرانس‌ها، رویدادها، نشست‌های خبری و بی،ه‌های مطبوعاتی
شروع HVM 2023 2024 2025 2026 2027
اینتل روند اینتل 3 اینتل 20A اینتل 18A ? ?
FET FinFET RibbonFET + PowerVia ? ?
EUV 0.33 EUV 0.55 High-NA EUV
سامسونگ روند 3GAE 3GAP 2.0 نانومتر 1.4 نانومتر
FET GAAFET ? ? ?
EUV 0.33 EUV ? ? ?
TSMC روند N3E/N3P N3S/N3X N2 N2؟
FET FinFET GAAFET GAAFET با انتقال قدرت پشتی (؟)
EUV 0.33 EUV ? ? ?

با رنگ آمیزی خطوط بسیار گسترده، در مقایسه با اینتل و TSMC، به نظر می رسد که TSMC کمی محافظه کارانه تر است (این چیزی است که وقتی شما بزرگترین سازنده کنتراست میکروالکترونیک در جهان هستید، انتظار می رود). در حالی که اینتل تهاجمی تر است (که باز هم با توجه به موقعیت این شرکت در بازار نیمه هادی ها انتظار می رود). در همین حال، نامگذاری فرآیندهای ساخت این روزها اساساً نفس گیر است و ارتباط کمی با اقدامات فیزیکی واقعی آنها وجود دارد. به همین دلیل است که مقایسه نقشه‌های راه شرکت‌های نیمه‌رسانای مختلف در بهترین حالت یک معیار نادقیق است.

به گفته این شرکت، سامسونگ علاوه بر گره‌های «عمومی» جدید، قصد دارد برنامه‌های بهینه‌سازی فناوری فرآیند خود را برای هر برنامه خاص و همچنین خدمات سفارشی‌سازی شده برای مشتریان گسترش دهد.

در این میان یکی از کارهایی که سامسونگ به طور مشخص انجام داد نه در بی،ه مطبوعاتی خود در مورد گره 1.4 نانومتری آن، استفاده از تج،ات High-NA ذکر شده است. اینتل به ،ه خود قصد دارد از High-NA برای شروع گره Intel 18A خود (در سال 2024) استفاده کند، جایی که در نهایت جایگزین الگوی چندگانه EUV مورد استفاده در تولید اولیه 18A خواهد شد.

طبق گفته‌های سامسونگ، پذیرش فناوری‌های فرآیندی جدید و تقاضا برای فرآیندهای ساخت جدید توسط گرایش‌های بزرگ شناخته شده – هوش مصنوعی، وسایل نقلیه خودران، برنامه‌های کاربردی خودرو به طور کلی، HPC، 5G و در نهایت اتصال 6G هدایت می‌شود. در نظر داشته باشید که سامسونگ یک شرکت بزرگ صنعتی با بخش‌های مختلف است، بسیاری از برنامه‌هایی که قصد دارد با گره‌های فرآیندی آینده به آنها بپردازد متعلق به خودش است.

شرکت افشا شد هفته گذشته که LSI Business (بخش توسعه تراشه) در حال حاضر حدود 900 محصول را ارائه می دهد که شامل SoC، حسگرهای تصویر، مودم، آی سی درایور نمایشگر (DDI)، آی سی مدیریت انرژی (PMIC) و راه حل های امنیتی است. در آینده، این شرکت قصد دارد با همکاری نزدیک‌تر با شرکای صنعتی خود (که احتمالاً شامل Arm و AMD می‌شود) تلاش‌های بیشتری را برای توسعه IP نیازمند عملکرد از جمله CPU و GPU انجام دهد.

افزایش ظرفیت تولید

ارائه فناوری‌های پیشرفته تولید خوب است، اما تولید این تراشه‌های پیشرفته در مقادیر کافی برای برآوردن نیازهای بازار به همان اندازه مهم است. برای این منظور، سامسونگ اعلام کرد که این شرکت همچنین به سرمایه گذاری هنگفت برای ایجاد ظرفیت تولید اضافی ادامه خواهد داد. در سال های اخیر ظرفیت نیمه هادی سامسونگ CapEx حدود 30 میلیارد دلار در سال بود و به نظر نمی رسد که این شرکت قصد دارد برای مخارج خود سقفی قائل شود (البته قابل ذکر است که فاش نمی کند که چه مقدار پول را می خواهد ،ج کند).

سامسونگ قصد دارد تا سال 2027 ظرفیت تولید خود را برای فناوری‌های فرآیند پیشرفته خود بیش از سه برابر افزایش دهد. در حالی که این شرکت‌ها گره‌هایی را که آنها را «پیشرفته» می‌دانند نام نمی‌برند، انتظار داریم ظرفیت EUV آن در آینده افزایش یابد. پنج سال – به ویژه هنگامی که دستگاه های ASML EUV بیشتری در دسترس هستند. در همین حال، شرکت تاکتیک‌های S،-First را در توسعه خود اتخاذ می‌کند و ابتدا ساختمان‌ها و اتاق‌های تمیز می‌سازد و بسته به شرایط بازار بعداً تج،ات را اضافه می‌کند.

فابریک جدید سامسونگ در حال ساخت در نزدیکی تیلور، تگزاس، یکی از اصلی ترین وسایل نقلیه این شرکت برای افزایش ظرفیت در سال های آینده خواهد بود. سایت S،-First در سال 2024 شروع به تولید تراشه خواهد کرد. و با اضافه ، ابزارهای جدید به کارخانه و ساخت فازهای جدید، ظرفیت تولید سایت بیشتر خواهد شد.

منبع: سامسونگ


منبع: https://www.anandtech.com/s،w/17605/samsung-foundry-outlines-roadmap-through-2027-14-nm-node-3x-more-capacity