“اجازه دهید در مورد این نقشه راه توضیحی بدهم، همه چیز فراتر از نانوصفحه چیزی است که ما روی آن قرار خواهیم داد. [roadmap] کوین ژانگ، معاون ارشد مسئول نقشه راه فناوری، استراتژی ،ب و کار، گفت: تا به شما بگویم هنوز آینده ای وجود دارد. ما به کار روی گزینه های مختلف ادامه خواهیم داد. من همچنین افزودنی به مواد یک بعدی دارم-[based transistors] […]همه آنها در حال حاضر در حال تحقیق بر روی نامزدهای بالقوه آینده هستند، ما دقیقاً به شما نخواهیم گفت که معماری ترانزیستور فراتر از نانوصفحه خواهد بود.”
در واقع، پروژه های تحقیقاتی زمان زیادی می برد و وقتی بسیاری از آنها را به صورت موازی اجرا می کنید، هرگز نمی د،د کدام یک از آنها به نتیجه می رسد. حتی در آن مرحله، تشخیص اینکه کدام یک از نامزدهای ساختار بالقوه TSMC (یا هر فابریک دیگر) را انتخاب خواهد کرد، دشوار است، در نهایت، کارخانهها باید نیازهای مشتریان بزرگتر خود را برآورده کنند (مانند اپل، AMD، مدیاتک، انویدیا، کوالکام) در زم، که این گره تولیدی برای تولید با حجم بالا آماده است.
درست مانند سایر تولیدات تراشه، TSMC روی انواع طراحی ترانزیستور کار می کند، بنابراین وجود CFET هایی که در آزمایشگاه کار می کنند مهم است. اما این نیز چیزی نیست که کاملاً غیرمنتظره باشد. محققان در جاهای دیگر قبلا CFET ها را مونتاژ کرده بودند، بنابراین اکنون این وظیفه TSMC متمرکز بر صنعت است تا چگونگی تولید انبوه را بیابد. برای این منظور، TSMC تاکید می کند که CFET ها در آینده نزدیک وجود ندارند.
به گفته Zhang، برای این منظور، TSMC از ساختارهای GAA برای سالهای آینده استفاده خواهد کرد.
TSMC با ارائه به روز رس، در مورد کار خود با ترانزیستورهای اثر میدان مکمل (CFET) به ،وان بخشی از سمپوزیوم فناوری اروپا در سال 2023، TSMC فاش کرد که CFET های فعال در آزمایشگاه های خود دارد. اما حتی با وجود پیشرفتی که TSMC تاکنون داشته است، این فناوری هنوز در روزهای اولیه خود است و نسلها با تولید انبوه فاصله دارد. در این بین، ترانزیستورهای Gate-all-around (GAA) جلوتر از CFET ها قرار خواهند گرفت که TSMC با گره های تولیدی N2 (ک، 2 نانومتری) آینده TSMC خود آنها را معرفی خواهد کرد.
یکی از شرطبندیهای بلندمدت TSMC به،وان جانشین نهایی GAAFETها، انتظار میرود که CFETها مزایایی نسبت به GAAFET و FinFET در زمینه بازدهی توان، عملکرد و چگالی ترانزیستور داشته باشند. با این حال، این مزایای بالقوه نظری و وابسته به غلبه بر چالش های فنی مهم در ساخت و طراحی است. به طور خاص، پیش بینی می شود که CFET ها به استفاده از لیتوگرافی بسیار دقیق (به ابزارهای High NA EUV فکر کنید) برای ادغام FET های نوع n و نوع p در یک دستگاه واحد، و همچنین تعیین ایده آل ترین مواد برای اطمینان از خواص الکترونیکی من، نیاز دارند. .
ژانگ با لفاظی پرسید: «نانوصفحه از 2 نانومتر شروع میشود، پروژهسازی منطقی است و آن نانوصفحه حداقل برای چند نسل استفاده خواهد شد، درست است». بنابراین، اگر به CFET فکر می کنید، ما از آن استفاده کرده ایم [FinFETs] برای پنج نسل، که بیش از 10 سال است. شاید [device structure] مشکل شخص دیگری است که باید نگران شود، پس می تو،د به نوشتن داستان ادامه دهید.”
منبع; سمپوزیوم فناوری اروپا TSMC 2023
منبع: https://www.anandtech.com/s،w/18873/tsmc-we-have-working-cfets-in-the-lab-but-they-are-generations-away