فناوری 3D X-DRAM برای افزایش چشمگیر ظرفیت تراشه حافظه

با استفاده از تکنیک‌های مشابه حافظه NAND سه بعدی، این فناوری حداقل تغییرات تج،ات را ضروری می‌کند و تنها به یک ماسک جدید در طول فرآیند اچ ، نیاز دارد. NEO Semiconductor پیش‌بینی می‌کند که 3D X-DRAM ممکن است به زودی جایگزین روش‌های سنتی تولید DRAM شود. چگالی به دست آمده 128 گیگابیت در هر سلول حافظه در 230 لایه، هشت برابر بیشتر از سلول‌های DRAM دو بعدی معمولی است، با پتانسیل رسیدن به 1 ترابیت در دهه آینده. 3D X-DRAM™ NEO Semiconductor، یک ساختار آرایه سلولی DRAM NAND مانند سه بعدی پیشگام، مبتنی بر فناوری سلول های بدنه شناور بدون خازن است. می توان آن را با استفاده از فرآیندهای NAND مانند سه بعدی موجود تولید کرد و تنها به یک ماسک برای تعریف حفره های خط بیت و تشکیل ساختار سلولی در آنها نیاز دارد. این ساختار سلولی مراحل فرآیند را ساده می کند و راه حلی سریع، با چگالی بالا، مقرون به صرفه و با بازده بالا ارائه می دهد.

NEO Semiconductor، یک شرکت مستقر در ایالات متحده، فناوری پیشگامانه 3D X-DRAM را معرفی کرده است که تولید سه بعدی سلول های حافظه DRAM را ساده و به صرفه می کند.

بر اساس برآوردهای NEO، فناوری 3D X-DRAM™ می تواند به تراکم 128 گیگابیت با 230 لایه دست یابد که نشان دهنده افزایش 8 برابری در چگالی DRAM امروزی است. یک تلاش صنعتی هماهنگ برای ،یب فناوری سه بعدی در DRAM در حال انجام است. بر خلاف بسیاری از گزینه‌های جایگزین برای انتقال DRAM به 3D که در مقالات دانشگاهی پیشنهاد شده و توسط صنعت حافظه مورد بررسی قرار گرفته‌اند، استفاده از 3D X-DRAM™ از فرآیند NAND بالغ به تنهایی بهره می‌برد.

منبع: https://www.guru3d.com/news-story/3d-x-dram-technology-to-significantly-boost-memory-chip-capacity-rapidly.html

این نوآوری پتانسیل افزایش قابل توجه تراکم سلول حافظه در تراشه ها را در یک بازه زم، کوتاه ارائه می دهد. اندی هسو، بنیانگذار و مدیر عامل شرکت NEO Semiconductor که بیش از 120 پتنت ایالات متحده را در اختیار دارد، گفت: “3D X-DRAM™ کاتالیزور نهایی رشد بخش نیمه هادی ها است.” “NEO به ،وان یک پیشرو آشکار در بازار DRAM 3D ظاهر می شود، با اختراع ما که تولید و مقیاس بندی ساده و مقرون به صرفه را در مقایسه با راه حل های فعلی ارائه می دهد. این صنعت می تواند تراکم و ظرفیت 8 برابری را در هر دهه با ™ 3D X-DRAM پیش بینی کند.”