سامسونگ میگوید که نوآوری کلیدی در فرآیند ساخت DRAM 12 نانومتری خود، استفاده از مواد جدید با کیفیت بالا برای خازنهای سلول DRAM است که به آن امکان میدهد تا ظرفیت سلول را برای افزایش عملکرد افزایش دهد، اما بدون افزایش ابعاد و اندازه قالب. ظرفیت سلول DRAM بالاتر به این م،ی است که یک سلول DRAM می تواند داده های بیشتری را ذخیره کند و چرخه های تازه سازی تخلیه انرژی را کاهش دهد و در نتیجه عملکرد را افزایش دهد. با این حال، خازنهای بزرگتر معمولاً منجر به افزایش اندازه سلول و قالب میشوند که باعث گرانتر شدن قالبهای حاصل میشود.
طبق اعلام سامسونگ، فرآیند ساخت 12 نانومتری این شرکت برای تولید تراشه های حافظه 16 گیگابیتی DDR5 استفاده می شود. و در حالی که شرکت در حال حاضر تراشههای DDR5 را با این ظرفیت تولید میکند (به ،وان مثال K4RAH086VB-BCQK)، تغییر به فرآیند جدیدتر و کوچکتر 12 نانومتری هم از نظر مصرف انرژی و هم از نظر اندازه قالب جواب داده است. در مقایسه با قالبهای DDR5 ساخته شده بر روی گره نسل قبلی این شرکت (14 نانومتر)، قالبهای 12 نانومتری جدید تا 23 درصد مصرف انرژی کمتری ارائه میکنند و سامسونگ قادر است 20 درصد قالبهای بیشتری در هر ویفر تولید کند (ی،ی قالبهای DDR5 بهطور ملموسی هستند. کوچکتر).
سامسونگ روز پنجشنبه اعلام کرد که تولید تراشه های DRAM با حجم بالا را در آ،ین فرآیند ساخت 12 نانومتری خود آغاز کرده است. گره تولیدی جدید به سامسونگ این امکان را داده است که مصرف برق دستگاه های DRAM خود را کاهش دهد و همچنین هزینه های آنها را به طور قابل توجهی در مقایسه با گره نسل قبلی خود کاهش دهد.
سامسونگ علاوه بر معرفی یک ماده جدید با کیفیت بالا، ولتاژ کار و نویز را برای آی سی های 12 نانومتری DDR5 خود کاهش داد تا تعادل بهتری در عملکرد و مصرف انرژی نسبت به مدل های قبلی ارائه دهد.
جویونگ لی، معاون اجرایی محصولات و فناوری DRAM در Samsung Electronics گفت: «با استفاده از فناوری فرآیند متمایز، DRAM DDR5 12 نانومتری پیشرو در صنعت سامسونگ، عملکرد فوقالعاده و کارایی انرژی را ارائه میدهد.
سازندگان DRAM سالهاست که با استفاده از مواد باکیفیت بالا به این موضوع میپردازند، اما یافتن این مواد با هر نود جدید پیچیدهتر میشود، زیرا سازندگان حافظه نیز باید بازده و زیرساختهای تولیدی را که دارند در نظر بگیرند. ظاهراً سامسونگ با گره 12 نانومتری خود موفق به انجام این کار شده است، اگرچه هیچ افشاگری در این زمینه انجام نمی دهد. این که سامسونگ موفق شده است اندازه قالب خود را به میزان قابل توجهی کاهش دهد کاملاً قابل توجه است، زیرا اجزای آنالوگ مانند خازن ها از اولین بخش های تراشه ها بودند که با گره های پردازشی ظریف تر، کاهش بیشتر را متوقف ،د.
در همین حال، سامسونگ نیز با دایرههای 12 نانومتری DDR5 جدید خود، به سرعتهای حافظه بالاتر چشم دوخته است. به گفته این شرکت، این قالبها میتوانند با سرعت DDR5-7200 (ی،ی 7.2 گیگابیت بر ث،ه در پین) کار کنند که بسیار جلوتر از آنچه که مشخصات رسمی JEDEC در حال حاضر اجازه میدهد، است. ولتاژ مورد نیاز ذکر نشده است، اما اگر هیچ چیز دیگری نباشد، نویدبخش کیت های حافظه XMP/EXPO آینده است.
منبع: https://www.anandtech.com/s،w/18865/samsung-kicks-off-12nm-ddr5-،uction-ddr5-7200-in-the-works