سامسونگ تولید DRAM DDR5 را با فناوری پردازش 12 نانومتری آغاز کرد، DDR5-7200 در حال کار است
انتشار: اردیبهشت 29، 1402
بروزرسانی: 10 اردیبهشت 1404

سامسونگ تولید DRAM DDR5 را با فناوری پردازش 12 نانومتری آغاز کرد، DDR5-7200 در حال کار است

سامسونگ می گوید که نوآوری کلیدی در فرآیند ساخت DRAM 12 نانومتری خود، استفاده از مواد جدید با کیفیت بالا برای خازن های سلول DRAM است که به آن امکان می دهد تا ظرفیت سلول را برای افزایش عملکرد افزایش دهد، اما بدون افزایش ابعاد و اندازه قالب. ظرفیت سلول DRAM بالاتر به این م،ی است که یک سلول DRAM می تواند داده های بیشتری را ذخیره کند و چرخه های تازه سازی تخلیه انرژی را کاهش دهد و در نتیجه عملکرد را افزایش دهد. با این حال، خازن های بزرگ تر معمولاً منجر به افزایش اندازه سلول و قالب می شوند که باعث گران تر شدن قالب های حاصل می شود.

سامسونگ علاوه بر معرفی یک ماده جدید با کیفیت بالا، ولتاژ کار و نویز را برای آی سی های 12 نانومتری DDR5 خود کاهش داد تا تعادل بهتری در عملکرد و مصرف انرژی نسبت به مدل های قبلی ارائه دهد.

سامسونگ روز پنجشنبه اعلام کرد که تولید تراشه های DRAM با حجم بالا را در آ،ین فرآیند ساخت 12 نانومتری خود آغاز کرده است. گره تولیدی جدید به سامسونگ این امکان را داده است که مصرف برق دستگاه های DRAM خود را کاهش دهد و همچنین هزینه های آنها را به طور قابل توجهی در مقایسه با گره نسل قبلی خود کاهش دهد.

یکی از جنبه های فناوری DRAM 12 نانومتری سامسونگ این است که به نظر می رسد 3 این شرکت باشد.rd گره تولید نسل برای حافظه که از لیتوگرافی فرابنفش شدید استفاده می کند. اولین گره D1x صرفاً به ،وان اثبات مفهوم طراحی شد و جانشین آن D1a که از سال 2021 مورد استفاده قرار گرفت، از EUV برای پنج لایه استفاده کرد. در همین حال، مشخص نیست که گره 12 نانومتری سامسونگ تا چه حد از ابزار EUV استفاده می کند.

طبق اعلام سامسونگ، فرآیند ساخت 12 نانومتری این شرکت برای تولید تراشه های حافظه 16 گیگابیتی DDR5 استفاده می شود. و در حالی که شرکت در حال حاضر تراشه های DDR5 را با این ظرفیت تولید می کند (به ،وان مثال K4RAH086VB-BCQK)، تغییر به فرآیند جدیدتر و کوچک تر 12 نانومتری هم از نظر مصرف انرژی و هم از نظر اندازه قالب جواب داده است. در مقایسه با قالب های DDR5 ساخته شده بر روی گره نسل قبلی این شرکت (14 نانومتر)، قالب های 12 نانومتری جدید تا 23 درصد مصرف انرژی کمتری ارائه می کنند و سامسونگ قادر است 20 درصد قالب های بیشتری در هر ویفر تولید کند (ی،ی قالب های DDR5 به طور ملموسی هستند. کوچکتر).

در همین حال، سامسونگ نیز با دایره های 12 نانومتری DDR5 جدید خود، به سرعت های حافظه بالاتر چشم دوخته است. به گفته این شرکت، این قالب ها می توانند با سرعت DDR5-7200 (ی،ی 7.2 گیگابیت بر ث،ه در پین) کار کنند که بسیار جلوتر از آنچه که مشخصات رسمی JEDEC در حال حاضر اجازه می دهد، است. ولتاژ مورد نیاز ذکر نشده است، اما اگر هیچ چیز دیگری نباشد، نویدبخش کیت های حافظه XMP/EXPO آینده است.



منبع: https://www.anandtech.com/s،w/18865/samsung-kicks-off-12nm-ddr5-،uction-ddr5-7200-in-the-worksسازندگان DRAM سال هاست که با استفاده از مواد باکیفیت بالا به این موضوع می پردازند، اما یافتن این مواد با هر نود جدید پیچیده تر می شود، زیرا سازندگان حافظه نیز باید بازده و زیرساخت های تولیدی را که دارند در نظر بگیرند. ظاهراً سامسونگ با گره 12 نانومتری خود موفق به انجام این کار شده است، اگرچه هیچ افشاگری در این زمینه انجام نمی دهد. این که سامسونگ موفق شده است اندازه قالب خود را به میزان قابل توجهی کاهش دهد کاملاً قابل توجه است، زیرا اجزای آنالوگ مانند خازن ها از اولین بخش های تراشه ها بودند که با گره های پردازشی ظریف تر، کاهش بیشتر را متوقف ،د.

جویونگ لی، معاون اجرایی محصولات و فناوری DRAM در Samsung Electronics گفت: «با استفاده از فناوری فرآیند متمایز، DRAM DDR5 12 نانومتری پیشرو در صنعت سامسونگ، عملکرد فوق العاده و کارایی انرژی را ارائه می دهد.

نویسنده: تیم تحریریه محمدصادق مجدی