در دسامبر سال گذشته، سامسونگ ارزیابی DRAM 16 گیگابیتی DDR5 خود را برای سازگاری با AMD با موفقیت به پایان رساند و این شرکت به همکاری با شرکت های جه، فناوری اطلاعات برای ایجاد نوآوری در بازار نسل بعدی DRAM ادامه می دهد.
سامسونگ تولید انبوه حافظه رم 16 گیگابایتی DDR5 با سرعت 12 نانومتر / 7.2 گیگابیت بر ثانیه (Gbps) را آغاز کرد.
اینجا کلیک کنید برای ارسال نظر برای این خبر در انجمن پیام.
این دستاورد با استفاده از فناوری پیشرفته پردازشی 12 نانومتری (nm)، جایگاه سامسونگ را در خط مقدم صنعت DRAM تأیید می کند. سری 12 نانومتری DDR5 DRAM سامسونگ دارای حدا،ر سرعت 7.2 گیگابیت در ث،ه (Gbps) است که امکان پردازش سریع دو فیلم 30 گیگابایتی UHD را در تقریباً یک ث،ه فراهم می کند. در نتیجه، این سری DRAM برای طیف گسترده ای از برنامه ها، از جمله مراکز داده، هوش مصنوعی و مح،ات نسل بعدی پاسخگو خواهد بود. به گفته جویونگ لی، معاون اجرایی محصولات و فناوری DRAM در Samsung Electronics، DRAM 12 نانومتری DDR5 این شرکت به لطف فناوری فرآیند متمایز خود، خود را با عملکرد استثنایی و بهره وری انرژی متمایز می کند. جدیدترین DRAM سامسونگ نه تنها نیازهای بازار مح،ات را با محصولات با کارایی و ظرفیت بالا برای پردازش در مقیاس بزرگ برآورده می کند، بلکه از راه حل های نسل بعدی نیز پشتیب، می کند که بهره وری را افزایش می دهد. Samsung Electronics، پیشرو جه، در فناوری حافظه پیشرفته، آغاز تولید انبوه DRAM 16 گیگابیتی (Gb) DDR5 خود را اعلام کرده است. توسعه فناوری فرآیند ک، 12 نانومتری سامسونگ از طریق استفاده از یک ماده جدید با ک بالا امکان پذیر شد که ظرفیت سلول را افزایش می دهد. این افزایش ظرفیت، تفاوت پتانسیل الکتریکی قابل توجهی در سیگنال های داده را تسهیل می کند و در نتیجه تمایز سیگنال دقیق تری را به همراه دارد. علاوه بر این، تلاش‌های سامسونگ برای کاهش ولتاژ عملیاتی و به حداقل رساندن نویز به ارائه راه‌حل بهینه‌ای که نیازهای مشتری را برآورده می‌کند، کمک کرده است.
منبع: https://www.guru3d.com/news-story/samsung-commences-m،-،uction-of-16gb-ddr5-dram-using-12nm-7-2-gigabits-per-second-(gbps).html