سامسونگ اولین شرکتی است که شروع به تولید تراشه های 3 نانومتری کرد



سامسونگ اولین شرکتی است که شروع به تولید تراشه های 3 نانومتری کرد

سامسونگ با پشت سر گذاشتن TSMC به اولین سازنده ای تبدیل شد که تولید تراشه های 3 نانومتری را آغاز کرد. اخبار مربوط به تکنیک تولید گره ماه گذشته منتشر شد، اما سامسونگ اولین محموله تراشه های 3 نانومتری را در این هفته تایید کرد.

لیتوگرافی جدید نوید عملکرد بالاتر و 45 درصد مصرف انرژی کمتر را می دهد. بر اساس بی،ه رسمی مطبوعاتی، سازنده کره ج،ی این دستاورد را در یک رویداد ویژه برای حدود 100 نفر از جمله وزیر تجارت، صنعت و انرژی کره ج،ی، چانگ یانگ لی جشن گرفت.

بخش ریخته گری سامسونگ الکترونی، جاه طلبی خود را برای تقویت رقابت پذیری ،ب و کار خود از طریق تولید انبوه فرآیند 3 نانومتری و فناوری ریخته گری پیشگیرانه، همراه با اطمینان از اینکه آنها “فناوری نوآورانه را برای تبدیل شدن به بزرگترین جهان” ارتقا خواهند داد، ابراز کرد.

وجود طراحی ترانزیستور GAA (Gate-All-Around) بارزترین ویژگی چیپست های جدید است. GAA یک پیشرفت FinFET است که ریخته گری را قادر می سازد تا ترانزیستورها را بدون تأثیر بر ظرفیت تراشه برای انتقال برق انتخاب کند. در نتیجه، راندمان نیمه هادی ها باید به میزان قابل توجهی افزایش یابد. به گفته سامسونگ، موج اولیه تراشه‌های 3 نانومتری در فضایی 16 درصدی کوچک‌تر از پردازنده‌های 5 نانومتری، 45 درصد کاهش مصرف انرژی و 23 درصد افزایش عملکرد خواهد داشت.

علیرغم این پیشرفت ها، سامسونگ ادعا می کند که در حال حاضر روی نسل دوم مدارهای 3 نانومتری کار می کند که مصرف انرژی را تا 50٪ کاهش می دهد و در عین حال 30٪ عملکرد بیشتر در فضای 35٪ کوچکتر ارائه می دهد. تا کنون، این ،ب و کار فاش نکرده است که چه ،ی اولین محموله تراشه های 3 نانومتری خود را ،یداری کرده است، اگرچه حرکت جلوتر از TSMC بدون شک حرکت قابل توجهی برای سامسونگ است.





اینجا کلیک کنید برای ارسال نظر برای این خبر در انجمن پیام.




منبع: https://www.guru3d.com/news-story/samsung-is-the-to-s،-،ucing-3nm-chips.html