سامسونگ الکترونیکس اولین راه حل های حافظه 128 گیگابایتی CXL 2.0 DRAM و نسل بعدی صنعت را معرفی کرد.

سامسونگ قصد دارد تا اوا، امسال تولید انبوه CXL 2.0 DRAM را آغاز کند و قصد دارد طیف گسترده ای از ظرفیت ها را برای پاسخگویی به تقاضای رو به رشد برای برنامه های مح،اتی آینده ارائه دهد.

CXL نشان دهنده نسل بعدی اینترفیس ها است که کارایی شتاب دهنده ها، DRAM و دستگاه های ذخیره سازی مورد استفاده در سیستم های سرور با کارایی بالا را افزایش می دهد. هنگامی که با DRAM اصلی جفت شود، پهنای باند و ظرفیت CXL را می توان افزایش داد و آن را به یک تغییر دهنده بازی در بازار مح،ات نسل بعدی تبدیل کرد. انتظار می‌رود افزایش تقاضا برای پردازش داده‌های پرسرعت ناشی از فناوری‌هایی مانند هوش مصنوعی (AI) و یادگیری ماشین (ML) با پیشرفت‌های فناوری CXL بیشتر شود.





اینجا کلیک کنید برای ارسال نظر برای این خبر در انجمن پیام.




منبع: https://www.guru3d.com/news-story/samsung-electronics-unveils-industrys-first-128gb-cxl-2-dramnext-generation-memory-solutions.html

Samsung Electronics، پیشرو جه، در فناوری پیشرفته نیمه هادی، از دستاوردی پیشگامانه در زمینه راه حل های حافظه خبر داده است.

جیم پاپاس، مدیر ابتکارات فناوری در شرکت اینتل، از همکاری با سامسونگ برای تقویت ا،یستم CXL پر رونق ابراز خوشحالی کرد: “اینتل خوشحال است که با سامسونگ در سرمایه گذاری آنها در راستای یک ا،یستم CXL پر جنب و جوش همکاری می کند. اینتل به همکاری با سامسونگ برای ترویج ادامه خواهد داد. رشد و پذیرش محصولات CXL نوآورانه در سراسر صنعت.”


سامسونگ الکترونی، اولین راه حل های حافظه 128 گیگابایتی CXL 2.0 DRAM و نسل بعدی صنعت را معرفی کرد.

استفن تای، رئیس شرکت فناوری مونتاژ، هیجان خود را در مورد تولید انبوه اولین کنتر،های پشتیب، کننده CXL 2.0 و همکاری در حال انجام با سامسونگ به اشتراک گذاشت: “Montage از تولید انبوه اولین کنتر،های پشتیب، کننده از CXL 2.0 هیجان زده است. ما مشتاقانه منتظر ادامه همکاری خود با سامسونگ فناوری CXL را ارتقا داده و ا،یستم خود را گسترش می‌دهد.”

این شرکت با موفقیت اولین DRAM 128 گیگابایتی جهان را با پشتیب، از Compute Express Link (CXL) 2.0 توسعه داده است. این شاهکار قابل توجه از طریق همکاری نزدیک با اینتل در پلتفرم Intel Xeon انجام شد. آ،ین نوآوری سامسونگ، 128 گیگابایت CXL DRAM مبتنی بر CXL 2.0، با گسترش موفقیت قبلی خود در معرفی اولین CXL DRAM مبتنی بر CXL 1.1 در صنعت در می 2022، آماده است تا تجاری سازی راه حل های حافظه نسل بعدی را تسریع بخشد. این CXL DRAM پیشرفته از رابط PCle 5.0 (خط 8) پشتیب، می کند و پهنای باند قابل توجهی تا 35 گیگابایت در ث،ه ارائه می دهد.

یکی از ویژگی های کلیدی CXL 2.0 پشتیب، آن از ادغام حافظه است، یک تکنیک مدیریت حافظه که چندین بلوک حافظه CXL را بر روی یک پلت فرم سرور برای ایجاد یک است، ادغام می کند. این امر میزبان ها را قادر می سازد تا به صورت پویا حافظه را در صورت نیاز از است، تخصیص دهند. این فناوری دستیابی به موفقیت به مشتریان اجازه می دهد تا با کاهش هزینه های عملیاتی، کارایی را به حدا،ر برسانند و آنها را قادر می سازد تا منابع را برای تقویت حافظه سرور خود سرمایه گذاری مجدد کنند.

جانگ سوک چوی، معاون تیم برنامه‌ریزی ،ب‌وکار جدید در سامسونگ الکترونیک، بر تعهد آن‌ها برای پیشبرد پیشرفت فناوری CXL تأکید کرد: «به ،وان عضوی از هیئت مدیره کنسرسیوم CXL، سامسونگ الکترونی، همچنان در خط مقدم فناوری CXL قرار دارد. توسعه بر تعهد ما به گسترش بیشتر ا،یستم CXL از طریق مشارکت استراتژیک با رهبران صنعت در مراکز داده، سرورها و چیپ‌ست‌ها تاکید می‌کند.”