فناوری جدید GDDR6W می تواند از پهنای باند در سطح HBM در سطح سیستم پشتیب، کند. HBM2E دارای پهنای باند در سطح سیستم 1.6 ترابایت بر ث،ه بر اساس I/O در سطح سیستم 4K و نرخ انتقال 3.2 گیگابیت بر ث،ه در هر پین است. از سوی دیگر، GDDR6W می‌تواند پهنای باند 1.4 ترابایت بر ث،ه را بر اساس ورودی/،وجی 512 سطح سیستم و نرخ انتقال 22 گیگابیت بر ث،ه در هر پین تولید کند. علاوه بر این، از آنجایی که GDDR6W تعداد I/O را در مقایسه با استفاده از HBM2E به حدود 1/8 کاهش می‌دهد، ،وم استفاده از micro،ps را از بین می‌برد. این باعث می شود بدون نیاز به لایه interposer مقرون به صرفه تر باشد.
بسته بندی به فرآیند برش ویفرهای ساخته شده به شکل های نیمه هادی یا سیم های اتصال اشاره دارد. در صنعت، این به ،وان یک “فرآیند پشتیبان” شناخته می شود. در حالی که صنعت نیمه هادی به طور مداوم به سمت مقیاس بندی مدارها تا حد امکان در طول فرآیند جلویی توسعه یافته است، فناوری بسته بندی با نزدیک شدن صنعت به محدودیت های فیزیکی محدودیت اندازه تراشه ها اهمیت بیشتری پیدا می کند. به همین دلیل است که سامسونگ از فناوری بسته آی سی سه بعدی خود در GDDR6W استفاده می کند و یک بسته واحد را با قرار دادن انواع تراشه ها در حالت ویفری ایجاد می کند. این یکی از چندین نوآوری است که برای سریعتر و کارآمدتر ، بسته بندی پیشرفته GDDR6W برنامه ریزی شده است.
ارتفاع GDDR6W مبتنی بر FOWLP 0.7 میلی متر است – 36 درصد باریک تر از بسته قبلی با ارتفاع 1.1 میلی متر. و علیرغم اینکه تراشه چند لایه است، هنوز هم همان خواص حرارتی و عملکرد GDDR6 موجود را ارائه می دهد. با این حال، برخلاف GDDR6، پهنای باند GDDR6W مبتنی بر FOWLP را می توان به لطف I/O توسعه یافته در هر بسته دو برابر کرد.
GDDR6W بر روی محصولات GDDR6 (x32) سامسونگ با معرفی فن آوری بسته بندی سطح ویفر (FOWLP) Fan-Out ساخته شده و پهنای باند و ظرفیت حافظه را به شدت افزایش می دهد.
فناوری FOWLP به‌جای PCB، قالب حافظه را مستقیماً روی یک ویفر سیلی، نصب می‌کند. در انجام این کار، از فناوری RDL (لایه توزیع مجدد) استفاده می شود که ال،ای سیم کشی بسیار ظریف تری را امکان پذیر می کند. علاوه بر این، از آنجایی که PCB درگیر نیست، ضخامت بسته را کاهش می دهد و اتلاف گرما را بهبود می بخشد.
از زمان عرضه، GDDR6 پیشرفت های چشمگیری داشته است. ژوئیه گذشته، سامسونگ یک حافظه GDDR6 با سرعت 24 گیگابیت بر ث،ه، سریع ترین DRAM گرافیکی صنعت، توسعه داد. GDDR6W پهنای باند (عملکرد) و ظرفیت را دوبرابر می کند در حالی که اندازه GDDR6 ی،ان باقی می ماند. به لطف ردپای بدون تغییر، تراشه‌های حافظه جدید را می‌توان به راحتی در همان فرآیندهای تولیدی که مشتریان برای GDDR6 استفاده کرده‌اند، با استفاده از فناوری ساخت و انباشته FOWLP، کاهش زمان و هزینه‌های ساخت، قرار داد.
کارایی بالا، ظرفیت بالا و راه حل های حافظه با پهنای باند بالا به تطابق بیشتر قلمرو مجازی با واقعیت کمک می کند. برای پاسخگویی به این تقاضای فزاینده بازار، Samsung Electronics GDDR6W (x64) را توسعه داده است: اولین فناوری DRAM گرافیکی نسل بعدی صنعت.
همانطور که در تصویر زیر نشان داده شده است، از آنجایی که می توان آن را به دو برابر تراشه های حافظه در یک بسته با اندازه ی،ان مجهز کرد، ظرفیت DRAM گرافیکی از 16 گیگابایت به 32 گیگابایت افزایش یافته است، در حالی که پهنای باند و تعداد ورودی/،وجی ها از 32 به 64 دو برابر شده است. به عبارت دیگر مساحت مورد نیاز برای حافظه نسبت به مدل های قبلی 50 درصد کاهش یافته است.
به طور کلی، اندازه یک بسته با انباشتن تراشه های بیشتر افزایش می یابد. اما عوامل فیزیکی وجود دارد که حدا،ر ارتفاع یک بسته را محدود می کند. علاوه بر این، اگرچه چیدمان‌های روی هم ظرفیت را افزایش می‌دهند، اما در اتلاف گرما و عملکرد، یک معاوضه وجود دارد. برای غلبه بر این مبادلات، ما از فناوری FOWLP خود در GDDR6W استفاده کرده‌ایم.