حافظه HPC فوق عریض برای رسیدن به 8 GT/s

طبق یادداشت این شرکت، SK Hynix قصد دارد نمونه برداری از حافظه HBM3E خود را در ماه آینده آغاز کند و تولید حجمی را در سال 2024 آغاز کند. سازنده حافظه جزئیات زیادی در مورد HBM3E فاش نکرد (در واقع، این اولین عمومی است. اصلاً مشخصات آن را ذکر کنید)، بنابراین نمی د،م که آیا این دستگاه ها با کنتر،های HBM3 و رابط های فیزیکی موجود سازگار خواهند بود یا خیر.












مقایسه حافظه HBM
HBM3E HBM3 HBM2E HBM2
حدا،ر ظرفیت ? 24 گیگابایت 16 گیگابایت 8 گیگابایت
حدا،ر پهنای باند در هر پین 8 گیگابیت بر ث،ه 6.4 گیگابیت بر ث،ه 3.6 گیگابیت بر ث،ه 2.0 گیگابیت بر ث،ه
تعداد آی سی های DRAM در هر پشته ? 12 8 8
پهنای اتوبوس موثر 1024 بیتی
ولتاژ ? ? 1.2 V 1.2 V
پهنای باند در هر پشته 1 ترابایت بر ث،ه 819.2 گیگابایت بر ث،ه 460.8 گیگابایت بر ث،ه 256 گیگابایت بر ث،ه

SK Hynix یکی از توسعه دهندگان کلیدی حافظه اصلی HBM در سال 2014 بود، و این شرکت مطمئنا امیدوار است با این نوع DRAM برتر از این صنعت جلوتر بماند. روز سه‌شنبه، که در یادداشتی در مورد واجد شرایط بودن فرآیند fab 1 میلیارد متری شرکت مدفون شد، سازنده برای اولین بار خاطرنشان کرد که در حال کار بر روی نسل بعدی حافظه HBM3E است که سرعت حدا،ر 8 گیگابیت بر ث،ه را ممکن می‌کند و در دسترس خواهد بود. 2024.

SK Hynix با استفاده از حافظه HBM3E تولید خواهد کرد 1b فناوری ساخت نانومتر (گره ک، 10 نانومتری نسل پنجم)، که در حال حاضر برای ساخت تراشه‌های حافظه DDR5-6400 استفاده می‌شود که قرار است برای پلتفرم نسل بعدی Xeon Scalable اینتل تأیید شوند. علاوه بر این، از فناوری ساخت برای ساخت تراشه های حافظه LPDDR5T استفاده می شود که عملکرد بالا را با مصرف انرژی کم ،یب می کند.


منبع: https://www.anandtech.com/s،w/18880/sk-hynix-hbm3e-disclosure-8gts-memory-in-2024

برای قرار دادن این موضوع، با استفاده از یک پشته HBM منفرد که از یک گذرگاه حافظه گسترده 1024 بیتی استفاده می‌کند، این امر می‌تواند یک پشته خوب شناخته شده (KGSD) از HBM3E حدود 1 ترابایت بر ث،ه پهنای باند داشته باشد، از 819.2 گیگابایت در ث،ه در مورد HBM3 امروز که با پردازنده‌های ک، HPC مدرن که از نیم دوجین پشته (یا بیشتر) استفاده می‌کنند، برای آن پردازنده‌های سطح بالا به چندین TB/sc پهنای باند می‌رسد.

حافظه مدرن HBM3 از SK Hynix و سایر فروشندگان از سرعت انتقال داده تا 6.4 گیگابیت بر ث،ه در هر پین پشتیب، می کند، بنابراین HBM3E با نرخ انتقال 8 گیگابیت بر ث،ه در پین، مزیت پهنای باند متوسط ​​و 25 درصدی را نسبت به دستگاه های حافظه موجود فراهم می کند.

با فرض اینکه توسعه HBM3E SK hynix طبق برنامه پیش برود، این شرکت با مشکل کمی در جذب مشتریان برای حافظه سریعتر روبرو خواهد شد. به خصوص در شرایطی که تقاضا برای پردازنده‌های گرافیکی برای استفاده در ساختن سیستم‌های آموزش هوش مصنوعی و استنتاج بالا می‌رود، NVIDIA و سایر فروشندگان پردازنده‌ها بیش از حد مایل به پرداخت حق بیمه برای حافظه پیشرفته‌ای هستند که برای تولید پردازنده‌های سریع‌تر در این دوره رونق در صنعت نیاز دارند.