طبق یادداشت این شرکت، SK Hynix قصد دارد نمونه برداری از حافظه HBM3E خود را در ماه آینده آغاز کند و تولید حجمی را در سال 2024 آغاز کند. سازنده حافظه جزئیات زیادی در مورد HBM3E فاش نکرد (در واقع، این اولین عمومی است. اصلاً مشخصات آن را ذکر کنید)، بنابراین نمی د،م که آیا این دستگاه ها با کنتر،های HBM3 و رابط های فیزیکی موجود سازگار خواهند بود یا خیر.
مقایسه حافظه HBM | ||||||
HBM3E | HBM3 | HBM2E | HBM2 | |||
حدا،ر ظرفیت | ? | 24 گیگابایت | 16 گیگابایت | 8 گیگابایت | ||
حدا،ر پهنای باند در هر پین | 8 گیگابیت بر ث،ه | 6.4 گیگابیت بر ث،ه | 3.6 گیگابیت بر ث،ه | 2.0 گیگابیت بر ث،ه | ||
تعداد آی سی های DRAM در هر پشته | ? | 12 | 8 | 8 | ||
پهنای اتوبوس موثر | 1024 بیتی | |||||
ولتاژ | ? | ? | 1.2 V | 1.2 V | ||
پهنای باند در هر پشته | 1 ترابایت بر ث،ه | 819.2 گیگابایت بر ث،ه | 460.8 گیگابایت بر ث،ه | 256 گیگابایت بر ث،ه |
SK Hynix یکی از توسعه دهندگان کلیدی حافظه اصلی HBM در سال 2014 بود، و این شرکت مطمئنا امیدوار است با این نوع DRAM برتر از این صنعت جلوتر بماند. روز سهشنبه، که در یادداشتی در مورد واجد شرایط بودن فرآیند fab 1 میلیارد متری شرکت مدفون شد، سازنده برای اولین بار خاطرنشان کرد که در حال کار بر روی نسل بعدی حافظه HBM3E است که سرعت حدا،ر 8 گیگابیت بر ث،ه را ممکن میکند و در دسترس خواهد بود. 2024.
SK Hynix با استفاده از حافظه HBM3E تولید خواهد کرد 1b فناوری ساخت نانومتر (گره ک، 10 نانومتری نسل پنجم)، که در حال حاضر برای ساخت تراشههای حافظه DDR5-6400 استفاده میشود که قرار است برای پلتفرم نسل بعدی Xeon Scalable اینتل تأیید شوند. علاوه بر این، از فناوری ساخت برای ساخت تراشه های حافظه LPDDR5T استفاده می شود که عملکرد بالا را با مصرف انرژی کم ،یب می کند.