تولید انبوه V-NAND نسل هشتم سامسونگ با بالاترین تراکم بیتی صنعت



تولید انبوه V-NAND نسل هشتم سامسونگ با بالاترین تراکم بیتی صنعت

سامسونگ اعلام کرد که شروع به تولید انبوه سلول سه سطحی (TLC) نسل هشتمی NAND عمودی (V-NAND) با بالاترین تراکم بیت در صنعت 1 ترابیت (Tb) کرده است. با 1 ترابایت، V-NAND جدید همچنین دارای بالاترین ظرفیت ذخیره سازی تا به امروز است و فضای ذخیره سازی بزرگ تری را در سیستم های سرور سازم، نسل بعدی در سراسر جهان فراهم می کند.

از آنجایی که تقاضای بازار برای ذخیره سازی متراکم تر و با ظرفیت بیشتر باعث افزایش تعداد لایه های V-NAND می شود، سامسونگ فناوری پیشرفته مقیاس بندی سه بعدی خود را برای کاهش سطح و ارتفاع به کار گرفته است، در حالی که از تداخل سلول به سلول که معمولاً با کوچک شدن رخ می دهد جلوگیری می کند. SungHoi Hur، معاون اجرایی محصولات و فناوری فلش در Samsung Electronics گفت. نسل هشتم V-NAND ما به پاسخگویی سریع به تقاضای رو به رشد بازار و موقعیت بهتر ما برای ارائه محصولات و راه‌حل‌های متفاوت‌تر کمک می‌کند، که اساس نوآوری‌های ذخیره‌سازی آینده خواهد بود.

سامسونگ توانست با افزایش قابل توجه بهره وری بیت در هر ویفر، به بالاترین تراکم بیت در صنعت دست یابد. بر اساس رابط Toggle DDR 5.0 – جدیدترین استاندارد فلش NAND – نسل هشتم V-NAND سامسونگ دارای سرعت ورودی و ،وجی (I/O) تا 2.4 گیگابیت در ث،ه (Gbps) است که افزایش 1.2 برابری نسبت به قبلی دارد. نسل. این امر V-NAND جدید را قادر می‌سازد تا ا،امات عملکرد PCIe 4.0 و بعداً PCIe 5.0 را برآورده کند.

انتظار می‌رود نسل هشتم V-NAND به ،وان سنگ بنای پیکربندی‌های ذخیره‌سازی عمل کند که به افزایش ظرفیت ذخیره‌سازی در سرورهای سازم، نسل بعدی کمک می‌کند، در حالی که استفاده از آن را در بازار خودرو گسترش می‌دهد، جایی که قابلیت اطمینان به‌ویژه حیاتی است.





اینجا کلیک کنید برای ارسال نظر برای این خبر در انجمن پیام.




منبع: https://www.guru3d.com/news-story/samsung-m،-،uction-of-8th-gen-v-nand-with-industrys-highest-bit-density.html