تحقیقات اینتل تا سال 2030 تریلیون ترانزیستور را پیش بینی می کند (با استفاده از چیپلت)



تحقیقات اینتل تا سال 2030 تریلیون ترانزیستور را پیش بینی می کند (با استفاده از چیپلت)

اینتل نوری را دیده است که AMD سال ها پیش دیده بود. پیشرفت های تحقیقاتی به خط لوله نوآوری آن برای حفظ قانون مور در مسیر رسیدن به ترانزیستور ترانزیستور در یک بسته در دهه آینده کمک می کند.

در نشست بین المللی IEEE Electron Devices Meeting (IEDM) 2022، محققان اینتل پیشرفت هایی را در فناوری بسته بندی سه بعدی با بهبود 10 برابری در چگالی به نمایش گذاشتند. مواد جدید برای مقیاس بندی ترانزیستور دو بعدی فراتر از RibbonFET، از جمله مواد بسیار نازک با ضخامت فقط 3 اتم. امکانات جدید در بهره وری انرژی و حافظه برای مح،ات با عملکرد بالاتر. و پیشرفت هایی برای مح،ات کوانتومی.

“هفتاد و پنج سال پس از اختراع ترانزیستور، نوآوری محرک قانون مور همچنان به تقاضای روزافزون جهان برای مح،ات رسیدگی می کند. در IEDM 2022، اینتل هم پیشرفت های آینده نگر و هم پیشرفت های تحقیقاتی ملموس را به نمایش می گذارد که برای عبور از حال و آینده مورد نیاز است. موانع، این تقاضای سیری ناپذیر را برآورده کنید و قانون مور را برای سال های آینده زنده و سالم نگه دارید.” -گری پاتون، معاون اینتل و مدیر کل بخش تحقیقات و طراحی اجزای سازنده

در IEDM چه اتفاقی می افتد: به من،ت گرامیداشت هفتاد و پنجمین سالگرد ترانزیستور، دکتر آن کلهر، معاون اجرایی اینتل و مدیر کل توسعه فناوری، جلسه عمومی را در IEDM رهبری خواهد کرد. Kelleher مسیرهای رو به جلو را برای ادامه نوآوری در صنعت ترسیم می کند – ا،یستم را حول یک استراتژی مبتنی بر سیستم برای رسیدگی به تقاضای روزافزون جهان برای مح،ات و نوآوری موثرتر برای پیشرفت با سرعت قانون مور تشکیل می دهد. جلسه “جشن 75 سال ترانزیستور! نگاهی به تکامل نوآوری قانون مور” در ساعت 9:45 صبح روز دوشنبه 5 دسامبر به وقت PST برگزار می شود.

چرا مهم است: قانون مور برای رسیدگی به نیازهای مح،اتی سیری ناپذیر جهان حیاتی است زیرا افزایش مصرف داده و حرکت به سمت افزایش هوش مصنوعی (AI) بیشترین شتاب تقاضا را به همراه دارد.

نوآوری مستمر سنگ بنای قانون مور است. بسیاری از نقاط عطف کلیدی نوآوری برای بهبود مستمر قدرت، عملکرد و هزینه در دو دهه گذشته – از جمله سیلی، فشرده، دروازه ف،ی Hi-K و FinFET – در رایانه‌های شخصی، پردازنده‌های گرافیکی و مراکز داده با گروه تحقیقاتی اجزای اینتل آغاز شد. تحقیقات بیشتر، از جمله ترانزیستورهای گیت همه جانبه RibbonFET (GAA)، فناوری انتقال قدرت در پشت PowerVia و پیشرفت‌های بسته‌بندی مانند EMIB و Foveros Direct، امروز در نقشه راه هستند.

در IEDM 2022، گروه تحقیقاتی اجزای اینتل تعهد خود را به نوآوری در سه حوزه کلیدی برای ادامه قانون مور نشان داد: فناوری جدید بسته بندی پیوند هیب، سه بعدی برای امکان ادغام یکپارچه چیپلت ها. مواد بسیار نازک و دو بعدی برای قرار دادن ترانزیستورهای بیشتر روی یک تراشه. و امکانات جدید در بهره وری انرژی و حافظه برای مح،ات با عملکرد بالاتر.

چگونه این کار را انجام می دهیم: محققان گروه تحقیقاتی اجزاء مواد و فرآیندهای جدیدی را شناسایی کرده اند که مرز بین بسته بندی و سیلی، را محو می کند. ما گام‌های مهم بعدی را در سفر به گسترش قانون مور به ترانزیستورهای یک تریلیون بسته، از جمله بسته‌بندی پیشرفته‌ای که می‌تواند به 10 برابر چگالی اتصال اضافی دست یابد، که منجر به تراشه‌های شبه یکپارچه می‌شود، آشکار می‌کنیم. نوآوری های مواد اینتل همچنین گزینه های طراحی عملی را شناسایی کرده اند که می توانند ا،امات مقیاس ترانزیستور را با استفاده از مواد جدید با ضخامت فقط 3 اتم برآورده کنند و این شرکت را قادر می سازد تا به مقیاس گذاری فراتر از RibbonFET ادامه دهد.

اینتل تراشه های شبه یکپارچه را برای بسته بندی های سه بعدی نسل بعدی معرفی می کند:

  • آ،ین تحقیقات پیوند هیب، اینتل که در IEDM 2022 ارائه شد، 10 برابر بهبود بیشتر در چگالی قدرت و عملکرد نسبت به ارائه تحقیقاتی IEDM 2021 اینتل را نشان می‌دهد.
  • ادامه مقیاس‌بندی پیوند هیب، تا یک گام 3 میکرونی، چگالی‌ها و پهنای باندهای اتصال مشابهی را که در اتصالات یکپارچه سیستم روی تراشه یافت می‌شود، به دست می‌آورد.

اینتل به دنبال مواد بسیار نازک دو بعدی است تا ترانزیستورهای بیشتری را روی یک تراشه قرار دهد:

  • اینتل با استفاده از مواد کانال دوبعدی با ضخامت تنها 3 اتم، ساختار نانوصفحه‌ای با دروازه‌ای را به نمایش گذاشت، در حالی که به سوئیچینگ تقریبا ایده‌آل ترانزیستورها روی ساختار دو دروازه در دمای اتاق با جریان نشتی کم دست یافت. اینها دو پیشرفت کلیدی هستند که برای چیدن ترانزیستورهای GAA و حرکت فراتر از محدودیت های اساسی سیلی، مورد نیاز هستند.
  • محققان همچنین اولین تحلیل جامع توپولوژی های تماس الکتریکی را با مواد دوبعدی نشان دادند که می تواند راه را برای کانال های ترانزیستوری با عملکرد بالا و مقیاس پذیر هموار کند.

اینتل امکانات جدیدی را در بهره وری انرژی و حافظه برای مح،ات با عملکرد بالاتر به ارمغان می آورد:

  • برای استفاده موثرتر از ناحیه تراشه، اینتل با توسعه حافظه ای که می تواند به صورت عمودی بالای ترانزیستورها قرار گیرد، مقیاس بندی را دوباره تعریف می کند. ابتدا در یک صنعت، اینتل خازن‌های فروالکتریک انباشته‌ای را نشان می‌دهد که با عملکرد خازن‌های فروالکتریک معمولی مطابقت دارد و می‌توان از آنها برای ساخت FeRAM بر روی یک قالب منطقی استفاده کرد.
  • اولین مدل در سطح دستگاه در صنعت، فازها و عیوب ،یبی را برای دستگاه‌های فروالکتریک بهبودیافته نشان می‌دهد که پیشرفت چشمگیری را برای اینتل در پشتیب، از ابزارهای صنعتی برای توسعه حافظه‌های جدید و ترانزیستورهای فروالکتریک نشان می‌دهد.
  • اینتل با نزدیک‌تر ، جهان به انتقال فراتر از 5G و حل چالش‌های بهره‌وری انرژی، مسیری من، برای ویفرهای GaN-on-Silicon 300 میلی‌متری ایجاد می‌کند. پیشرفت های اینتل در این زمینه نشان دهنده افزایش 20 برابری نسبت به استاندارد GaN در صنعت است و یک رکورد صنعتی برای ارائه قدرت با کارایی بالا ایجاد می کند.
  • اینتل در حال دستیابی به پیشرفت‌هایی در زمینه فناوری‌های فوق‌العاده کارآمد است، به‌ویژه ترانزیستورهایی که فراموش نمی‌کنند و داده‌ها را حتی در صورت قطع برق حفظ می‌کنند. در حال حاضر، محققان اینتل دو مانع از سه مانع را ش،ته اند که این فناوری را کاملاً زنده و عملیاتی در دمای اتاق حفظ می کند.

اینتل به معرفی مفاهیم جدید در فیزیک با پیشرفت هایی در ارائه کیوبیت های بهتر برای مح،ات کوانتومی ادامه می دهد:
محققان اینتل با جمع‌آوری درک بهتری از نقص‌های رابط مختلف که می‌توانند به‌،وان اختلالات محیطی مؤثر بر داده‌های کوانتومی عمل کنند، راه‌های بهتری برای ذخیره اطلاعات کوانتومی بیابند.





اینجا کلیک کنید برای ارسال نظر برای این خبر در انجمن پیام.




منبع: https://www.guru3d.com/news-story/intel-research-predict-trillion-transistors-by-2030-(by-using-chiplets).html