اولین قطعاتی که به سرعت 32 گیگابیت بر ثانیه در هر پین می رسند

منبع: https://www.anandtech.com/s،w/18963/samsung-completes-initial-gddr7-development-first-parts-to-reach-up-to-32gbpspin

جدای از تولید لوازم الکترونیکی، آ،ین نوآوری اصلی با GDDR7 سامسونگ قطعا فیزیکی خواهد بود: اپو،ی. در بی،ه مطبوعاتی سامسونگ با توجه به بارهای حرارتی بالا که توسط حافظه های GDDR موجود با بالاترین سرعت ساعت تولید می شود، به وضوح توجه شده است که آنها از ،یب قالب گیری اپو،ی جدید (EMC) برای GDDR7 استفاده می کنند که برای انتقال بهتر گرما طراحی شده است. در مجموع، سامسونگ مدعی کاهش 70 درصدی مقاومت حرارتی در برابر حافظه GDDR6 خود است، که باید به اطمینان حاصل شود که یک خنک کننده خوب همچنان می تواند گرمای کافی را از تراشه های حافظه خارج کند، علی رغم افزایش کلی تولید گرما.

اعلامیه سامسونگ علاوه بر ارائه به‌روزرس، در مورد فرآیند توسعه GDDR7، جزئیات فنی سطح بالایی را در مورد نسل اول GDDR7 این شرکت ارائه می‌کند – اگرچه «سطح بالا» کلمه کاربردی است زیرا این به هیچ وجه یک غواصی عمیق فنی نیست. .

همچنین شایان ذکر است که در حال حاضر، سریع‌ترین حافظه GDDR6 که در کارت‌های ویدئویی استفاده شده می‌بینیم، تنها با سرعت 20 گیگابیت بر ث،ه کار می‌کند. GDDR6 24 گیگابیتی بر ث،ه خود سامسونگ، اگرچه بیش از یک سال پیش اعلام شد، اما در حال حاضر فقط در حال نمونه‌گیری است. بنابراین با وجود تعداد زیادی از محصولات دیگر که از GDDR6 استفاده می‌کنند، جهش مؤثر در پهنای باند برای کارت‌های ویدیویی در سال‌های 2024/2025، بسته به درجه‌های سرعت موجود در آن زمان، می‌تواند قابل توجه‌تر باشد.

سامسونگ همچنین ادعا می‌کند که فناوری GDDR7 آن‌ها “20٪ بهبود در بهره وری انرژی در مقایسه با DRAM 24 گیگابیت بر ث،ه GDDR6 موجود” را ارائه می دهد، اگرچه این ادعای گسترده ای است که شیطان در جزئیات است. از آنجایی که راندمان انرژی DRAM معمولاً بر اساس هر بیت اندازه گیری می شود (پیکوژول در هر بیت/pJpb)، پس تفسیر ما این است که این رقمی است که سامسونگ در آن ادعا به آن اشاره می کند. اما اینکه آیا این اندازه گیری در 24 گیگابیت بر ث،ه (پهنای باند ایزو) یا 32 گیگابیت بر ث،ه انجام می شود، مشخص نیست.

جالب اینجاست که این نسبت به محدودیت های پیش بینی شده GDDR7 بسیار نزدیکتر از آنچه در نسل های گذشته فناوری حافظه دیده بودیم، شروع می شود. در حالی که GDDR6 با سرعت 14 گیگابیت در ث،ه راه اندازی شد و در نهایت به 24 گیگابیت در ث،ه رسید، سامسونگ می خواهد با سرعت 32 گیگابیت بر ث،ه شروع کند. با این حال، در همان زمان، GDDR7 یک جهش نسلی کوچکتر از آنچه برای GDDR6 یا GDDR5 دیدیم خواهد بود. به جای دو برابر ، پهنای باند سیگنالینگ فناوری حافظه نسبت به نسل قبلی خود، GDDR7 تنها 50 درصد افزایش یافته است که به دلیل تغییر از سیگنال NRZ (2 حالت) به سیگنالینگ PAM-3 (3 حالت).

در هر صورت، خبر خوب این است که GDDR7 سامسونگ قرار است افزایش ملموسی در بهره وری انرژی داشته باشد. اما تنها 20 درصد بهبود در بهره وری انرژی برای فناوری حافظه ای که تا 33 درصد پهنای باند بیشتری ارائه می دهد، این بدان م،ی است که مصرف انرژی مطلق حافظه نسبت به نسل قبلی افزایش می یابد. با فرض اینکه ارقام بهره وری انرژی سامسونگ برای GDDR7@32Gbps در مقابل GDDR6@24Gbps باشد، پس ما به افزایش حدود 7 درصدی در کل مصرف انرژی نگاه خواهیم کرد. در غیر این صورت، اگر در پهنای باند iso باشد، بسته به اینکه منحنی ولتاژ/فرکانس سامسونگ به چه چیزی برسد، افزایش مصرف انرژی در پهنای باند کامل می‌تواند بسیار بیشتر باشد.

با توجه به اعلامیه سامسونگ، آنها انتظار دارند به سرعت داده تا 32 گیگابیت بر ث،ه برسند. این 33 درصد بیشتر از نرخ داده 24 گیگابیت بر ث،ه است که برترین محصولات GDDR6 این شرکت می توانند امروز داشته باشند. سامسونگ و Cadence هر دو قبلاً فاش کرده بودند که انتظار دارند حافظه GDDR7 در نهایت به 36Gbps/pin برسد، اگرچه مانند توسعه GDDR6 – 50٪ سریعتر از GDDR6 – احتمالاً چندین نسل از محصولات را به خود اختصاص می دهند.

همچنین در افشای اطلاعات سامسونگ چیزی در مورد فرآیند فابریکی که آنها برای تولید حافظه جدید استفاده می کنند وجود ندارد. جدیدترین GDDR6 این شرکت از فرآیند D1z خود استفاده می کند، در حالی که اخیراً اعلامیه حافظه DDR5 از سامسونگ نشان می دهد که آنها از 12 نانومتری (D1b?) خود در آنجا استفاده می کنند. حتی اگر گره خاص مورد استفاده را ند،م، سامسونگ تقریباً مطمئناً از یک گره جدیدتر برای GDDR7 استفاده می کند. این بدان م،است که حداقل برخی از 20 درصد افزایش بهره وری انرژی از GDDR7 به جای بهبودهای بهره وری ذاتی از GDDR7، محصول گره جدیدتر خواهد بود.

سامسونگ امروز عصر اعلام کرد که توسعه نسل اول حافظه GDDR7 خود را تکمیل کرده است. انتظار می‌رود نسخه بعدی فناوری حافظه با پهنای باند بالا، که در حال توسعه در سطح صنعت بوده است، در سال 2024 وارد بازار شود و سامسونگ در جایگاه اول قرار گیرد تا یکی از اولین فروشندگان حافظه خارج از دروازه باشد. با توجه به اینکه نسل اول قطعات GDDR7 خود به پهنای باند 32 گیگابیت بر ث،ه در نظر گرفته شده است – 33 درصد بیشتر از بهترین قطعات GDDR6 امروزی – این شرکت به دنبال افزایش قابل توجهی در پهنای باند حافظه GDDR بر اساس پذیرش فناوری PAM است. -3 سیگنالینگ

به طور کلی، این همان نتیجه ای است که با معرفی GDDR6(X) دیدیم، جایی که علیرغم افزایش بهره وری انرژی در آنجا، مصرف انرژی کلی از یک نسل به نسل دیگر افزایش یافت، زیرا افزایش بهره وری انرژی با تقاضای پهنای باند همگام نیست. . نمی توان گفت که هیچ یک از این موارد غیرمنتظره است، اما به این م،ی است که خنک کننده خوب حتی برای حافظه GDDR7 حیاتی تر خواهد بود.

در پایان، اکنون که توسعه اولیه حافظه GDDR7 آنها به پایان رسیده است، سامسونگ به سمت آزمایش تأیید با شرکای خود می رود. به گفته این شرکت، آنها امسال با مشتریان کلیدی برای تأیید کار خواهند کرد. اگرچه در این مرحله، شرکت نمی‌گوید چه زم، تولید انبوه حافظه جدید را آغاز خواهد کرد.

اعلام سامسونگ در حالی منتشر می شود که شاهد افزایش افشاگری ها و اعلامیه ها در مورد تکرار بعدی فناوری حافظه پرکاربرد بوده ایم. در حالی که هنوز مشخصات کاملی برای حافظه توسط JEDEC منتشر نشده است، رقیب سامسونگ Micron قبلاً اعلام کرده بود که قصد دارد حافظه GDDR7 خود را در سال 2024 معرفی کند – ج، زم، مشابه با برنامه فعلی سامسونگ. در همین حال، شرکت ابزار EDA Cadence در اوایل سال جاری مقدار قابل توجهی از جزئیات فنی را به ،وان بخشی از اعلام ابزار تأیید GDDR7 خود فاش کرد و نشان داد که حافظه از سیگنال‌دهی PAM-3 استفاده می‌کند و به سرعت داده تا 36 گیگابیت بر ث،ه می‌رسد.

در مورد ظرفیت، اولین تراشه‌های GDDR7 سامسونگ 16 گیگابایت هستند که با چگالی موجود تراشه‌های برتر GDDR6 (X) امروزی مطابقت دارد. بنابراین، ظرفیت حافظه در محصولات نهایی، با فرض ی،ان بودن عرض گذرگاه حافظه، تفاوت قابل توجهی با محصولات امروزی نخواهد داشت. رشد تراکم DRAM به طور کلی در طول سال ها به دلیل مشکلات مقیاس بندی کند شده است و GDDR7 از آن مصون نخواهد بود.

اما برای مشتری، که نیازهای شدید برق/خنک کننده دارند، سامسونگ همچنین اعلام کرده است که یک نسخه ولتاژ پایین از حافظه GDDR7 خود را در دسترس قرار خواهد داد. این شرکت ولتاژ اسمی GDDR7 خود یا همتای ولتاژ پایین آن را فاش نکرده است، اما ما انتظار داریم که سامسونگ از همان تراشه‌ها استفاده کند که در ازای ولتاژ کاری پایین‌تر، مشابه GDDR6 ولتاژ پایین، از تراشه‌های مشابه استفاده کند.